Для получения более простой и информативной математической модели проектируемого микроэлектронного устройства в [114] производится автоматическая отбраковка несущественных паразитных электромагнитных эффектов, а затем – адаптация математической модели устройства к возможностям средств оценки выходных электрических характеристик. При проектировании межсоединений в условиях САПР проводится двухступенчатая отбраковка: предварительная осуществляется на основании ранжирования цепей схемы (питания, земли, сигнальные и т.д.), а дальнейшая – путем построения зон электромагнитного влияния межсоединений.

Проектирование межсоединений топологии конструктивов по критерию помехоустойчивости проводилось в [140, 234, 253]. В этом случае на этапе построения пути межсоединения в конструктиве рассчитывается значение приращения помехи, затем суммарная помеха сравнивается с допустимой помехоустойчивостью элемента и принимается решение о прокладке данного межсоединения. В силу последовательного характера алгоритмов трассировки в них невозможно учесть влияние вновь прокладываемых проводников на уже проложенные межсоединения и, как правило, учитывается влияние лишь близлежащих проводников. По окончании трассировки межсоединений конструктива требуется полный поверочный расчет взаимных помех, который выполнить также затруднительно.

Размещение межсоединений на конструктивах субнаносекундных цифровых ЭС должно сочетать требования по плотности монтажа, быстродействию соединяемых элементов, их помехоустойчивости [214] и инициирует поиск новых подходов в анализе ЭМС фрагментов межсоединений, эффективных по точности и вычислительным затратам.
Общей особенностью методов анализа ЭМС межсоединений, в том числе пошагового метода продвижения во времени, является то, что моделирование фрагментов межсоединений, содержащих свыше 40 – 50 проводников, требует значительных затрат машинных ресурсов, а анализ межсоединений современных конструктивов ЭС, содержащих 103 – 104 проводников, практически невозможен в условиях ограниченных ресурсов САПР. Такое противоречие не может быть устранено с помощью уменьшения размерности задачи анализа межсоединений конструктивов ЭС разбиением на совокупность более простых фрагментов и использованием упрощенных математических моделей [31].

Для быстрых практических оценок эффективности экранирования корпусов ЭС можно использовать простой способ определения коэффициента затухания, который основан на аналогии с распространением электромагнитных волн в электрически длинных двухпроводных линиях [112]. Эти волны являются распространяющимися вдоль проводящих линий ТЕМ-волнами (электромагнитные волны с векторами напряженностей электрического ориентированными перпендикулярно к направлению распространения), так что разработанные для них формальные методы нетрудно перенести на плоские волны в свободном пространстве. Подобно тому, как волны в неоднородных линиях частично отражаются, частично пропускаются и затухают из-за потерь, электромагнитные волны в свободном пространстве отражаются от неоднородностей и ослабляются внутри материала.