Для получения более простой и информативной математической модели проектируемого микроэлектронного устройства в [114] производится автоматическая отбраковка несущественных паразитных электромагнитных эффектов, а затем – адаптация математической модели устройства к возможностям средств оценки выходных электрических характеристик. При проектировании межсоединений в условиях САПР проводится двухступенчатая отбраковка: предварительная осуществляется на основании ранжирования цепей схемы (питания, земли, сигнальные и т.д.), а дальнейшая – путем построения зон электромагнитного влияния межсоединений.