Известны алгоритмы анализа межсоединений для итерактивного режима САПР, ориентированные на отбраковку неприемлемых топологий, опирающиеся на опыт и интуицию разработчика, либо последовательный перебор вариантов расположения проводников. Однако при большом разнообразии топологических сочетаний межсоединений, характерном
для печатных плат наносекундных ЭС, такие подходы оказываются плохо пригодными.
Один из возможных методов снижения размерности задачи анализа ЭМС [199, 213] заключается в предварительном ограничении разнообразия приемлемых топологических конфигураций межсоединений и определении для каждого из этих типов межсоединений наихудших ситуаций, для описания которых достаточно небольшого числа параметров. Далее при вариации этих параметров проводится расчет выделенных наихудших случаев на ЭВМ, и в результате составляются ограничения на разрешенные межсоединения каждого типа в виде зависимостей, например, максимальной длины межсоединения от суммарной емкости нагрузки.
Учет электромагнитного взаимодействия пленочных межсоединений в интегральных схемах производится на основе построения геометрических зон влияния [270]. Зона влияния межсоединения представляет собой часть плоскости вокруг проводника, при попадании в которую другого межсодинения возникает паразитная связь больше допустимой. Такой подход формулируется из условий наихудшего случая, дает погрешность до 25%, но задача анализа ЭМС квадратичной размерности сводится к линейной.