Для быстрых практических оценок эффективности экранирования корпусов ЭС можно использовать простой способ определения коэффициента затухания, который основан на аналогии с распространением электромагнитных волн в электрически длинных двухпроводных линиях [112]. Эти волны являются распространяющимися вдоль проводящих линий ТЕМ-волнами (электромагнитные волны с векторами напряженностей электрического ориентированными перпендикулярно к направлению распространения), так что разработанные для них формальные методы нетрудно перенести на плоские волны в свободном пространстве. Подобно тому, как волны в неоднородных линиях частично отражаются, частично пропускаются и затухают из-за потерь, электромагнитные волны в свободном пространстве отражаются от неоднородностей и ослабляются внутри материала.

На современном этапе разработок СБИС, отличающихся эффективным использованием своих объемов, межсоединения все в большей степени начинают играть главную роль в конструкции и компоновке элементов сверхбыстродействующих схем ЭС. В процессе осуществления монтажной разводки проводников неуклонно стремятся к выбору все более тонких и узких соединительных линий, хотя в то же время обычной становится конструкция СБИС, в которой монтажные соединения выбираются многослойными.
В настоящее время компоновка СБИС затрудняется паразитными эффектами, влияние которых на рабочие характеристики элементов схем может быть оценено только численным моделированием.

Ставилась задача оценки проекта печатной платы, построенной на элементах быстродействующих схем (tф = 1,5 нс), с точки зрения
удовлетворения требований технического задания по допустимому уровню перекрестных помех в межсоединениях.

При проектировании межсоединений МПП, рекомендуемых для высокопроизводительных ЭВМ на элементной базе типа ЭСЛ (tф = 1нс), была поставлена задача оценить влияние емкостных входов элементов, представляющих дискретные неоднородности, на изменение величин задержек сигналов на этих элементах. Электрическая схема исследуемого фрагмента межсоединений приведена на рис. 2.34. В данном случае межсоединение начинается от одного элемента – передатчика и последовательно обходит все элементы – приемники, линия заканчивается подключением к согласующему резистору Rс = 50 Ом.